[发明专利]使用牺牲子鳍状物在硅衬底上形成的高迁移率纳米线鳍状物沟道

摘要

集成电路管芯包括通过从沟道材料下方去除子鳍状物材料的一部分形成的用于晶体管的具有沟道材料的四栅极器件纳米线(例如，将成为MOS器件的沟道的单个材料或叠置体)，其中，子鳍状物材料生长在纵横比捕获(ART)沟槽中。在一些情形下，在形成这些纳米线时，可以去除沟道下方的有缺陷的鳍状物材料或区域。这种去除隔离了鳍状物沟道、去除了鳍状物缺陷和漏电路径，并形成了具有其上可形成栅极材料的四个暴露表面的沟道材料的纳米线。

主权项

一种使用牺牲子鳍状物层在硅衬底上形成纳米线沟道的方法，包括：在形成于浅沟槽隔离(STI)区域之间的沟槽中从第一衬底内部侧壁和第二衬底内部侧壁外延生长具有鳍状物牺牲材料的子鳍状物缓冲层；在所述沟槽中从所述牺牲材料外延生长第二高度的具有鳍状物沟道材料的鳍状物沟道层；选择性地蚀刻所述STI区域以去除所述STI区域的高度并且暴露在经蚀刻的STI区域的顶表面上方的能够被蚀刻的第一高度的所述牺牲子鳍状物材料；以及选择性地蚀刻以从所述鳍状物沟道层下方去除所述第一高度的所述具有鳍状物牺牲材料的子鳍状物缓冲层，但是留下所述第二高度的所述具有鳍状物沟道材料的鳍状物沟道层，从而在所述沟槽上方形成纳米线，其中所述纳米线具有所述具有鳍状物沟道材料的鳍状物沟道层。