[发明专利]电气设备用负极活性物质以及使用其的电气设备有效
| 申请号： | 201480084170.0 | 申请日： | 2014-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107112514B | 公开（公告）日： | 2020-02-28 |
| 发明（设计）人： | 芜木智裕;渡边学;千叶启贵;三木文博;谷村诚 | 申请（专利权）人： | 日产自动车株式会社 |
| 主分类号： | H01M4/36 | 分类号： | H01M4/36;H01M4/02;H01M4/38;H01M10/0585 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
[课题]提供一种能提高锂离子二次电池等电气设备的循环耐久性的手段。[解决手段]在电气设备中使用含有含硅合金的负极活性物质，所述含硅合金具有化学式(I)：Si |
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| 搜索关键词： | 电气 备用 负极 活性 物质 以及 使用 电气设备 | ||
【主权项】：
一种电气设备用负极活性物质，其特征在于，负极活性物质含有具有下述化学式(I)所示的组成的含硅合金，SixSnyMzAa (I)在上述化学式(I)中，A为不可避免的杂质，M为1种或2种以上过渡金属元素，x、y、z和a表示质量％的值，此时，0＜x＜100、0＜y＜100、0＜z＜100且0≤a＜0.5，x+y+z+a＝100，由该含硅合金的通过透射电子显微镜(TEM)得到的晶格图像进行傅里叶变换处理，得到衍射图案，对该衍射图案中的、将Si正四面体间距离设为1.0时存在于0.7～1.0宽度内的衍射环部分进行逆傅里叶变换，由得到的傅里叶图像计算非晶质区域的Si正四面体间距离时，该Si正四面体间距离为0.39nm以上。
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