[其他]溅镀靶材组件有效
| 申请号： | 201490000406.3 | 申请日： | 2014-01-17 |
| 公开（公告）号： | CN205275690U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 细川昭弘;J·M·怀特;任东吉 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | C23C14/34 | 分类号： | C23C14/34;H01L21/203 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型一般涉及一种溅镀靶材组件。锌被用于金属氧化物半导体材料，如IGZO、氧化锌和氮氧化锌。所述锌可通过在期望气氛下溅镀锌靶材来传递。如果使用纯锌溅镀靶材，那么除非使迁移率(mobility)减至10cm2/V-s以下，否则无法生产稳定的膜。通过添加一掺杂物(如镓)，不仅可以沉积稳定的膜，而且所述膜会具有大于30cm2/V-s的迁移率。所述掺杂物可直接并入所述锌中，或者作为直接邻近所述锌溅镀靶材的单独溅镀靶材。 | ||
| 搜索关键词： | 溅镀靶材 组件 | ||
【主权项】：
一种溅镀靶材组件，所述溅镀靶材组件包括：背管；以及溅镀靶材，所述溅镀靶材被耦接至所述背管，所述溅镀靶材包含锌及分散在所述锌中的一或多个掺杂物。
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