[其他]微细图案形成系统有效
| 申请号： | 201490000734.3 | 申请日： | 2014-03-20 |
| 公开（公告）号： | CN205666228U | 公开（公告）日： | 2016-10-26 |
| 发明（设计）人： | 郑光春;柳志勋;成俊基;韩孝珍 | 申请（专利权）人： | 印可得株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京瀚仁知识产权代理事务所(普通合伙) 11482 | 代理人： | 宋宝库;何平 |
| 地址： | 韩国京畿道安山市*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型涉及一种微细图案形成系统，本实用新型的微细图案形成系统包括：输送部，连续输送形成有阴刻图案的衬底；供给部，向所述衬底供给填料；和旋转填充部，沿所述衬底的输送方向设置在所述供给部的后方，在与所述衬底接触的状态下进行旋转，从而将所供给的填料填充到所述阴刻图案内。 | ||
| 搜索关键词： | 微细 图案 形成 系统 | ||
【主权项】：
一种微细图案形成系统，包括：输送部，用于使用多个输送辊连续输送形成有阴刻图案的衬底；供给部，用于在所述衬底的上部使用喷嘴向所述衬底供给填料；和旋转填充部，沿所述衬底的输送方向设置在所述供给部的后方，在所述衬底的上部与所述衬底接触的状态下进行旋转，从而将被供给到所述衬底的填料填充到所述阴刻图案内，其中，所述旋转填充部包括第一辊，所述第一辊沿所述衬底的宽度方向较长地配置，与所述衬底接触而将填料引导至阴刻图案内。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于印可得株式会社，未经印可得株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201490000734.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
