[其他]半导体装置有效

专利信息
申请号: 201490001492.X 申请日: 2014-09-22
公开(公告)号: CN206353537U 公开(公告)日: 2017-07-25
发明(设计)人: 奥野高广 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L29/861 分类号: H01L29/861;H01L29/868
代理公司: 北京华夏正合知识产权代理事务所(普通合伙)11017 代理人: 韩登营,蒋国伟
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
权利要求书: 暂无信息 说明书: 暂无信息
摘要: 第1导电型半导体衬底(7)上设有表面(SF),该表面具有4个角(CN)。表面(SF)具有主部(PM)和包围主部(PM)的周边部(PP)。周边部(PP)具有外周部(PPo)和包围外周部(PPo)的终端部(PPt)。终端部(PPt)具有位于各角(CN)的4个角部(PC)。主掺杂区域(2)设置于主部(PM),为第2导电型,且具有一个面积。多个副掺杂区域(1)彼此分离,分别设置于角部(PC)中的至少2个角部,且与主掺杂区域(2)分离,该多个副掺杂区域为第2导电型,且具有小于所述一个面积的总面积。主电极(6)在表面(SF)上与主掺杂区域(2)邻接,且与副掺杂区域(1)分离。周边电极(41)与各副掺杂区域(1)邻接。
搜索关键词: 半导体 装置
【主权项】:
一种半导体装置,其特征在于,包括第1导电型的半导体衬底,该半导体衬底被设有具有4个角的表面,所述表面具有主部和包围所述主部的周边部,所述周边部具有外周部和包围所述外周部的终端部,所述终端部具有分别位于各所述角的4个角部,所述半导体装置还包括:主掺杂区域,其被设置于所述主部,且具有不同于所述第1导电型的第2导电型,且其在所述表面上具有一个面积;彼此分离的多个副掺杂区域,其与所述主掺杂区域分离而被分别设置于所述角部中的至少2个角部,且其具有所述第2导电型,且在所述表面上具有比所述一个面积小的总面积;主电极,其在所述表面上与所述主掺杂区域邻接,且与所述副掺杂区域分离;层间绝缘膜,其在所述周边部上覆盖所述副掺杂区域之间的部分;和周边电极,其与所述主电极分离而设置在设有所述层间绝缘膜的所述周边部上,且分别与各所述副掺杂区域邻接。
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