[发明专利]采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法

摘要

本发明提供一种背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,其中提供器件晶圆，第一承载晶圆和第二承载晶圆;于器件晶圆的第一面形成若干深沟槽隔离结构；通过后续工艺中的热过程修复所述深沟槽隔离结构的缺陷；器件晶圆的第一面与第一承载晶圆进行第一次晶圆键合，减薄器件晶圆,形成器件晶圆的第二面，并于该表面制作器件及金属互联；与第二承载晶圆进行第二次晶圆键合形成具有背面深沟槽隔离结构的背照式图像传感器。用本发明的背照式深沟槽隔离中，先形成深沟槽隔离结构，并可选择的在后续的工艺中采用高温热过程对深沟槽隔离形成过程中产生的缺陷进行修复，降低暗电流及白点，并可达到无深沟槽隔离的水平。

主权项

一种采用背面深沟槽隔离的背照式图像传感器的制作方法,其特征在于,至少包括步骤:提供器件晶圆，第一承载晶圆和第二承载晶圆;于器件晶圆的第一面形成若干深沟槽隔离结构；通过后续工艺中的热过程修复所述深沟槽隔离结构的缺陷；器件晶圆的第一面与第一承载晶圆进行第一次晶圆键合，减薄器件晶圆,形成器件晶圆的第二面，并于该表面制作器件及金属互联；与第二承载晶圆进行第二次晶圆键合形成具有背面深沟槽隔离结构的背照式图像传感器。