[发明专利]一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管有效
| 申请号： | 201510001340.0 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104681618B | 公开（公告）日： | 2018-01-12 |
| 发明（设计）人： | 贾护军;张航;邢鼎 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10 |
| 代理公司： | 北京世誉鑫诚专利代理事务所(普通合伙)11368 | 代理人： | 郭官厚 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有双凹陷缓冲层的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管，自下而上包括4H‑SiC半绝缘衬底、P型缓冲层、N型沟道层，N型沟道层的两侧分别为源极帽层和漏极帽层，源极帽层和漏极帽层表面分别是源电极和漏电极，沟道上方且靠近源极帽层的一侧形成栅电极，P型缓冲层的上端面在栅源和栅漏间下方设有凹槽。本发明具有输出漏极电流显著提高，击穿电压稳定的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 凹陷 缓冲 sic 金属 半导体 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
一种4H‑SiC金属半导体场效应晶体管制备方法，包括，以下几个步骤：1)对4H‑SiC半绝缘衬底(1)进行清洗，以去除表面污物；2)在4H‑SiC半绝缘衬底(1)上外延生长0.5μm厚的SiC层，同时经乙硼烷B2H6原位掺杂，形成浓度为1.4×1015cm‑3的P型缓冲层(2)；3)在P型缓冲层(2)上外延生长0.25μm厚的SiC层，同时经N2原位掺杂，形成浓度为3×1017cm‑3的N型沟道层(3)；4)在N型沟道层(3)上外延生长0.2μm厚的SiC层，同时经N2原位掺杂，形成浓度为1.0×1020cm‑3的N+型帽层；5)在N+型帽层上依次进行光刻和隔离注入，形成隔离区和有源区；6)对有源区依次进行源漏光刻、磁控溅射、金属剥离和高温合金，形成0.5μm长的源电极(6)和漏电极(7)；7)对源电极(6)和漏电极(7)之间的N+型帽层进行光刻、刻蚀，形成刻蚀深度和长度分别为0.25μm和2.2μm的凹沟道；8)对P型缓冲层(2)进行一次光刻和离子注入，形成具有厚度为0.25μm，以源极帽层(4)和漏极帽层(5)里侧为起点、长度分别为0.85μm和0.8μm的凹槽(9)的双凹陷缓冲层；9)在沟道上方且靠近源极帽层一侧的凹沟道进行光刻、磁控溅射和金属剥离，形成0.7μm长的栅电极(10)；10)对所形成的4H‑SiC金属半导体场效应晶体管表面进行钝化、反刻，形成电极压焊点，完成器件的制作。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西安电子科技大学，未经西安电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510001340.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
