[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法，该方法包括：在基底上形成多个鳍状结构，上述鳍状结构之间具有沟道；以及进行循环工艺至少2次。上述循环工艺包括：沉积工艺以及刻蚀工艺。沉积工艺是在上述沟道中填入第一导体材料层，上述第一导体材料层覆盖上述鳍状结构的顶部以及侧壁。刻蚀工艺是移除部分上述第一导体材料层。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：在一基底上形成多个鳍状结构，这些鳍状结构之间具有一沟道；以及进行至少2次循环工艺，以形成一第一导体层，其中每一循环工艺包括：一沉积工艺，在该沟道中填入一第一导体层，该第一导体层覆盖这些鳍状结构的顶部以及侧壁；以及一刻蚀工艺，移除部分该第一导体层，其中该第一导体层的一第一厚度调整至小于该第一导体层的一第二厚度，其中该第一厚度为位于这些鳍状结构的上部侧壁的该第一导体层的厚度，该第二厚度为位于这些鳍状结构的下部侧壁的该第一导体层的厚度；其中，该第一导体层采用的材料是多晶硅、掺杂的多晶硅、金属材料或其组合。