[发明专利]半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种半导体元件及其制造方法。半导体元件包括基底、多个鳍状结构、多个导体衬层、电荷储存层、多个第一导体层以及多个填充柱。鳍状结构位于基底上，相邻两个鳍状结构之间具有沟道。导体衬层位于基底上。每一导体衬层覆盖鳍状结构的部分侧壁及部分顶面。电荷储存层位于鳍状结构与导体衬层之间。第一导体层位于基底上且覆盖导体衬层，并与鳍状结构部分顶面上的导体衬层电性连接。填充柱位于沟道中，且位于导体衬层与第一导体层之间。

主权项

1.一种半导体元件的制造方法，包括：提供一基底；于该基底上形成多个鳍状结构，相邻两个鳍状结构之间具有一沟道；于这些鳍状结构的顶面及侧壁共形地形成一电荷储存层；于电荷储存层上共形地形成多个导体衬层；于这些沟道中的这些导体衬层之上填充材料层形成多个填充柱；以及于该基底上形成多个第一导体层，这些第一导体层覆盖这些导体衬层及这些填充柱，且与这些鳍状结构部分顶面上的这些导体衬层电性连接；其中，这些填充柱采用的材料是沟填能力较这些导体衬层或这些第一导体层佳的材料，包括氮化硅、氧化硅、使用旋涂式玻璃法形成的绝缘材料或其组合。