[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置在审
| 申请号： | 201510001865.4 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104465788A | 公开（公告）日： | 2015-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘翔 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L27/12;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供一种薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法、显示装置，涉及显示技术领域，可增强薄膜晶体管的栅控能力，使其性能保持长期稳定，并进一步提高其使用寿命。该薄膜晶体管包括第一栅极、位于第一栅极上方的栅绝缘层、位于栅绝缘层上方的半导体有源层、与半导体有源层相接触的源极和漏极；还包括层间绝缘层和第二栅极；其中，所述层间绝缘层设置在第二栅极和半导体有源层之间。用于显示器件的制造。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，包括第一栅极、位于所述第一栅极上方的栅绝缘层、位于所述栅绝缘层上方的半导体有源层、与所述半导体有源层相接触的源极和漏极；其特征在于，还包括层间绝缘层和第二栅极；其中，所述层间绝缘层设置在所述第二栅极和所述半导体有源层之间。
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