[发明专利]一种提高有源矩阵微型LED显示器光学性能的方法在审
申请号: | 201510001894.0 | 申请日: | 2015-01-04 |
公开(公告)号: | CN104617121A | 公开(公告)日: | 2015-05-13 |
发明(设计)人: | 李超;杨洪宝;张白雪;杨淼 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 南京天华专利代理有限责任公司 32218 | 代理人: | 瞿网兰;徐冬涛 |
地址: | 210016 *** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开一种提高有源矩阵微型LED显示器光学性能的方法,涉及有源矩阵微型LED显示器制造工艺。具体工艺方法是通过在有源矩阵微型LED显示器蓝宝石衬底出光面,制备与发光像素一一对应的微型光学结构,控制并优化发光像素出光方向。采用此微型光学结构工艺可以明显的改善LED发光像素出光角度大、相邻像素间串扰严重等问题,进而提高显示器对比度;同时,由微型光学结构形成的新出光面,可增加LED发光像素的光抽取率,提高显示器亮度。本发明所述的微型光学结构工艺相对简单,能有效的优化有源矩阵微型LED显示器对比度、亮度等关键光学参数,提高有源矩阵微型LED显示器的光学性能。 | ||
搜索关键词: | 一种 提高 有源 矩阵 微型 led 显示器 光学 性能 方法 | ||
【主权项】:
一种提高有源矩阵微型LED显示器光学性能的方法,其特征是它包括以下步骤:1)在透明蓝宝石衬底上依次外延生长晶格缓冲层、N层、多量子阱(MQW)、P层、电流扩展层,形成LED外延片;2)在LED外延片正面依次采用光刻及干法刻蚀工艺,将LED外延片的P层及发光层分割成微型像素阵列,N层相互连接形成共面结构的公共层;3)在微型像素阵列及公共N层上依次采用包含光刻及金属成膜的剥离图形化工艺制备复合金属层图形,并在周边形成套刻标记;4) 在金属粘附层及接触层上制备柱状金属凸点,并完成热回流;5) 将LED外延片背面蓝宝石衬底减薄,抛光;6)在LED外延片背面,即蓝宝石面采用背面套刻工艺及干法刻蚀工艺制备微型光学结构,微型光学结构对从蓝宝石衬底面的出射光形成聚拢效果,完成微型LED显示阵列的制备工艺;7)将制备的微型LED显示阵列金属凸点与有源矩阵MOS驱动背板芯片凸点形成纵向凸点倒装电学互联,由驱动背板提供电流至微型LED像素单元,进行发光; 成像像素单元从N层透过蓝宝石衬底发射出光,形成显示图像。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所,未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510001894.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:沟槽型超级结器件的版图结构及其制造方法
- 下一篇:背照式图像传感器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的