[发明专利]半导体装置及其制作方法有效
| 申请号： | 201510001982.0 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105826174B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 林静龄;黄志森;陈奕文 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/423;H01L29/41 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置及其制作方法，该半导体装置包括栅极金属层、第一层间介电层、底部掩模层、顶部掩模层和第二层间介电层。第一层间介电层会包围栅极金属层的周边，底部掩模层设置在栅极金属层上，其中掩模层和栅极金属层的组成包括至少一相同的金属原子成分，顶部掩模层会顺向性地设置在底部掩模层的表面上，第二层间介电层会设置在顶部掩模层上且直接接触第一层间介电层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：栅极金属层，设置于一基板上；第一层间介电层，包围该栅极金属层的周边；底部掩模层，设置于该栅极金属层上，其中该掩模层和该栅极金属层的组成包括至少一相同的金属原子成分；顶部掩模层，顺向性地设置在该底部掩模层的表面上；以及第二层间介电层，设置在该顶部掩模层之上且直接接触该第一层间介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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