[发明专利]垂直型非易失性存储器件和垂直沟道非易失性存储器件

摘要

本发明提供垂直型非易失性存储器件和垂直沟道非易失性存储器件，其中沟道结构形成在其中的沟道孔的大小之间的差异被减小。垂直型非易失性存储器件包括在其表面内具有沟道孔凹陷区域的基板。沟道结构从基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的多个沟道孔凹陷区域上突起，包括绝缘层和导电层的存储单元叠层可以沿着沟道结构的侧壁交替地层叠。公共源极线沿着基板的表面在沟道孔凹陷区域当中的在字线凹陷区域中的其它沟道孔凹陷区域上延伸，该字线凹陷区域将相邻的存储单元叠层分离。还讨论了相关的制造方法。

主权项

1.一种垂直型非易失性存储器件，包括：基板；沟道结构，在与所述基板垂直的第一方向上延伸；多个存储单元叠层，分别包括地选择线、多条字线和串选择线，其中所述地选择线、所述多条字线和所述串选择线顺序地层叠以在所述第一方向上在所述沟道结构的侧表面上彼此分离；公共源极区，在所述基板的第一表面上在所述多个存储单元叠层当中的存储单元叠层之间；在所述基板中的凹陷区域，所述凹陷区域具有与所述基板的低于所述第一表面的第二表面相应的底部，所述凹陷区域中包括第一沟道材料层；以及虚设沟道结构，接触所述公共源极区的侧壁并且在所述第一方向上重叠所述第一沟道材料层的上表面的一部分。