[发明专利]一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法在审
| 申请号： | 201510002201.X | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104614347A | 公开（公告）日： | 2015-05-13 |
| 发明（设计）人： | 翁羽翔;米阳 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | G01N21/63 | 分类号： | G01N21/63;G01N21/3563 |
| 代理公司： | 北京泛华伟业知识产权代理有限公司 11280 | 代理人： | 王勇;王博 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法，包括如下步骤：步骤一：采集所述半导体材料在不同激发波长下的动力学数据，并区分导带电子和束缚态电子的动力学；步骤二：将所述动力学数据取脉冲激发之后的同一时间的值作图，得到所述半导体材料的禁带激发扫描光谱；步骤三：确定所述半导体材料的费米能级；步骤四：根据所述费米能级和所述禁带激发扫描光谱表征所述半导体材料的束缚态；步骤五：绘出所述半导体材料的带隙中间态能级图。本发明能够确定费米能级的位置并且系统地表征半导体材料的中间态能级，从而指导光催化剂的设计朝着实用化、高效化的方向发展。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体材料 中间 能级 测量方法 | ||
【主权项】：
一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法，包括如下步骤：步骤一：采集所述半导体材料在不同激发波长下的动力学数据，并区分导带电子和束缚态电子的动力学；步骤二：将所述动力学数据取脉冲激发之后的同一时间的值作图，得到所述半导体材料的禁带激发扫描光谱；步骤三：根据所述动力学数据、所述导带电子和束缚态电子的动力学以及所述禁带激发扫描光谱，确定所述半导体材料的费米能级；步骤四：根据所述费米能级和所述禁带激发扫描光谱表征所述半导体材料的束缚态；步骤五：根据所述半导体材料的束缚态绘出所述半导体材料的带隙中间态能级图。
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