[发明专利]用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘有效
| 申请号： | 201510002676.9 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104498905B | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王晓亮;殷海波;肖红领;姜丽娟;冯春 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | C23C16/455 | 分类号： | C23C16/455 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 曹玲柱 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种用于金属有机化合物化学气相沉积设备反应室的进气顶盘。该进气顶盘包括上层进气盘和下层匀气盘，下层匀气盘为三层台阶盘体，在上层进气盘和下层匀气盘之间形成三个独立的进气腔‑第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔，该三个进气腔彼此隔离密封。其中，该第一进气腔、第二进气腔和第三进气腔分别具有独立的进气通道和出气通道，由第三进气腔内通入的隔离气体将由第一进气腔通入的第一反应气体和第二进气腔通入的第二反应气体隔开。本发明可以降低两种或多种反应气体在到达衬底之前就相遇并进行反应的概率，大大提高外延材料的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 金属 有机化合物 化学 沉积 设备 反应 进气顶盘 | ||
【主权项】：
一种进气顶盘，其特征在于，用于向一反应室供气，包括：上层进气盘(1)和下层匀气盘(2)，所述下层匀气盘(2)为三层台阶盘体，在所述上层进气盘(1)和下层匀气盘(2)之间形成三个独立的进气腔‑第一进气腔(3)、第二进气腔(4)和第三进气腔(5)，该三个进气腔彼此隔离密封；其中，该第一进气腔(3)、第二进气腔(4)和第三进气腔(5)分别具有独立的进气通道和出气通道，由第三进气腔(5)内通入的隔离气体将第一进气腔(3)通入的第一反应气体和第二进气腔(4)通入的第二反应气体隔开。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上，例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆，例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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