[发明专利]氮化镓发光二极管外延片有效
| 申请号： | 201510003033.6 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104465916B | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 刘伟;郑远志;陈向东;康建;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 圆融光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人： | 杨文娟,黄健 |
| 地址： | 243000 安徽省马鞍山*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化镓发光二极管外延片，包括在衬底上自下而上依次生长的低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中，所述多量子阱结构包括N个多量子阱，所述N个多量子阱中的每两个多量子阱之间设置有一个隧道结，所述隧道结由以石墨烯为基底的氮化镓基组成。由于多量子阱结构由多层多量子阱组成，在多量子阱结构中每一对电子—空穴，会发生多次复合，产生多个光子，从而提高了氮化镓发光二极管的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 | ||
【主权项】：
一种氮化镓发光二极管外延片，其特征在于，包括：在经过高温净化的衬底上自下而上依次生长的：低温氮化镓缓冲层、非掺杂氮化镓层、n型氮化镓层、多量子阱结构、p型铝镓氮层、p型氮化镓层和高掺杂p型氮化镓电极接触层，其中，所述多量子阱结构包括：N个多量子阱，所述N个多量子阱中的每两个多量子阱之间设置有一个隧道结，所述隧道结由以石墨烯为基底的氮化镓基组成。
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