[发明专利]高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管有效
| 申请号： | 201510003131.X | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105826371B | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 张广胜;张森;卞鹏;胡小龙 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，还包括形成于衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。上述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的工艺简单且成本较低，并具有耐高压性能。 | ||
| 搜索关键词： | 高压 横向 扩散 金属 氧化物 半导体 场效应 | ||
【主权项】：
1.一种高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，包括衬底，其特征在于，还包括形成于所述衬底上的N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管，以及形成于所述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极的P型金属氧化物半导体场效应管；所述P型金属氧化物半导体场效应管的栅极作为所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的栅极；所述P型金属氧化物半导体场效应管的漏极作为所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的漏极；所述N型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极作为所述高压P型横向双扩散金属氧化物半导体场效应管的源极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡华润上华科技有限公司，未经无锡华润上华科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510003131.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
