[发明专利]一种与Cu2Se基热电材料相匹配的电极及其连接工艺有效
| 申请号： | 201510003602.7 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN105826459B | 公开（公告）日： | 2018-10-23 |
| 发明（设计）人： | 鄢永高;徐行涛;唐新峰;苏贤礼;吴林春 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | H01L35/02 | 分类号： | H01L35/02;H01L35/10 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 唐万荣;张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种与Cu2Se基热电材料相匹配的电极及其连接工艺。所述电极为Ni‑Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为40％‑60％，余量为Ni‑Al合金。所述的电极与Cu2Se基热电材料的连接工艺是通过放电等离子烧结连接，其中电极与热电材料之间设置有梯度过渡层。本发明所述电极与Cu2Se基热电材料界面结合很稳定，接合面电阻跃迁非常小，制备工艺简单，成本也比较低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 cu sub se 热电 材料 匹配 电极 及其 连接 工艺 | ||
【主权项】：
1.一种与Cu2Se基热电材料相匹配的电极，其特征在于所述电极为Ni‑Al合金与金属单质Al的混合物，其中金属单质Al的质量百分含量为40%‑60%，余量为Ni‑Al合金；所述的电极与Cu2Se基热电材料通过放电等离子烧结连接，其中电极与热电材料之间设置有梯度过渡层；所述梯度过渡层的厚度为0.1‑0.3mm；所述梯度过渡层为Cu2Se基热电材料粉体与电极粉体的按照体积比1:1混合而成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉理工大学，未经武汉理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510003602.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 一种Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-Yb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>改性的La<sub>2</sub>Zr<sub>2</sub>O<sub>7</sub>-(Zr<sub>0.92</sub>Y<sub>0.08</sub>)O<sub>1.96</sub>复相热障涂层材料
- 无铅[(Na<sub>0.57</sub>K<sub>0.43</sub>)<sub>0.94</sub>Li<sub>0.06</sub>][(Nb<sub>0.94</sub>Sb<sub>0.06</sub>)<sub>0.95</sub>Ta<sub>0.05</sub>]O<sub>3</sub>纳米管及其制备方法
- 磁性材料HN(C<sub>2</sub>H<sub>5</sub>)<sub>3</sub>·[Co<sub>4</sub>Na<sub>3</sub>(heb)<sub>6</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>6</sub>]及合成方法
- 磁性材料[Co<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(hmb)<sub>4</sub>(N<sub>3</sub>)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub>]·(CH<sub>3</sub>CN)<sub>2</sub> 及合成方法
- 一种Bi<sub>0.90</sub>Er<sub>0.10</sub>Fe<sub>0.96</sub>Co<sub>0.02</sub>Mn<sub>0.02</sub>O<sub>3</sub>/Mn<sub>1-x</sub>Co<sub>x</sub>Fe<sub>2</sub>O<sub>4</sub> 复合膜及其制备方法
- Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-TeO<sub>2</sub>-SiO<sub>2</sub>-WO<sub>3</sub>系玻璃
- 荧光材料[Cu<sub>2</sub>Na<sub>2</sub>(mtyp)<sub>2</sub>(CH<sub>3</sub>COO)<sub>2</sub>(H<sub>2</sub>O)<sub>3</sub>]<sub>n</sub>及合成方法
- 一种(Y<sub>1</sub>-<sub>x</sub>Ln<sub>x</sub>)<sub>2</sub>(MoO<sub>4</sub>)<sub>3</sub>薄膜的直接制备方法
- 荧光材料(CH<sub>2</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>2</sub>ZnI<sub>4</sub>
- Li<sub>1.2</sub>Ni<sub>0.13</sub>Co<sub>0.13</sub>Mn<sub>0.54</sub>O<sub>2</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>复合材料的制备方法
