[发明专利]电性测试结构及其制备方法、电性测试工艺在审
| 申请号： | 201510003666.7 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104538382A | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 郭强;龚斌 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 吴俊 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种电性测试结构及其制备方法、电性测试工艺，可应用于在层间介质层及后段制程之前，对栅氧化层进行的电性测试工艺，即通过在形成有栅极的电性测试结构上，设置分别与栅氧化层及衬底连接的微型垫，在大大降低量测工艺难度的同时，还能在不用对晶圆衬底进行破坏的前提下，实现对NMOS器件及PMOS器件的栅氧化层的电性测试，以在有效的避免对测试样品造成的损伤同时，大大提高测试效率，有效降低工艺成本。 | ||
| 搜索关键词： | 测试 结构 及其 制备 方法 工艺 | ||
【主权项】：
一种电性测试结构，其特征在于，所述结构包括：衬底，设置有栅极区，以及位于该栅极区两侧的第一测试区和第二测试区；栅氧化层，覆盖位于所述栅极区内的所述衬底之上，并延伸至部分所述第一测试区中；栅极，覆盖所述栅氧化层之上；其中，将延伸至所述第一测试区的所述栅极定义为第一微型垫，将部分位于所述第二测试区的所述衬底定义为第二微型垫，并利用所述第一微型垫和所述第二微型垫对所述栅氧化层进行电性测试工艺。
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