[发明专利]一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜及其制备方法有效
| 申请号： | 201510003705.3 | 申请日： | 2015-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN104532187B | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 胡超权;郑伟涛;顾志清 | 申请（专利权）人： | 吉林大学 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/34 |
| 代理公司： | 长春吉大专利代理有限责任公司22201 | 代理人： | 朱世林,王寿珍 |
| 地址： | 130012 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜及其制备方法，其特征在于膜的氮含量的范围为57.1％‑61.5％，膜具有的压应力为2.0‑4.0GPa，其通过制备过程中氩离子轰击实现。采用射频反应溅射法，以高纯Hf为靶源，Ar和N2作为放电气体，在单晶Si基底和光学玻璃上沉积氮化铪薄膜，氮气流速比为50％‑80％，膜生长过程中引入氩离子轰击，样品托盘上施加负电压的范围为‑70～‑90V。该制备方法工艺简单，效率高。所得到的氮化铪膜完全由立方磷化钍相构成，不含有其他的相，它具有可见光‑红外透明的特性，并对典型红外窗口材料Ge具有增透功能，它是一种新型的红外增透保护膜材料，可以应用与极端服役条件下的航空航天光学器件的表面防护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 立方 磷化 单相 结构 氮化 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种具有立方磷化钍单相结构的氮化铪膜，其特征在于：所述的氮化铪膜完全由立方磷化钍相构成，不含有其他的相，按各成分的原子数百分含量，膜的氮含量的范围为57.1％‑61.5％，铪含量对应的范围为42.9％‑38.5％，膜具有的压应力为2.0‑4.0GPa，其通过制备过程中氩离子轰击实现。
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