[发明专利]一种InxAl1-xN/AlN复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构

摘要

本发明公开了一种InxAl1-xN/AlN 复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构，包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上，该成核层的厚度为0.01-0.60µm；一高阻层，该高阻层制作在成核层上面；一高迁移率层，该高迁移率层制作在高阻层上面；一InxAl1-xN/AlN复合势垒层，该复合势垒层制作在高迁移率层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在InxAl1-xN/AlN复合势垒层上面，厚度为1-5nm。通过引入高铝组分的InxAl1-xN/AlN 复合势垒层，即使在复合势垒层较薄时，仍具有更高的二维电子气面密度，约为相同条件下传统铟铝氮/氮化镓高电子迁移率晶体管结构的1.5-2倍。

主权项

一种InxAl1‑xN/AlN 复合势垒层氮化镓基异质结高电子迁移率晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：一衬底；一成核层，该成核层制作在衬底上，该成核层的厚度为0.01‑0.60µm；一高阻层，该高阻层制作在成核层上面；一高迁移率层，该高迁移率层制作在高阻层上面；一InxAl1‑xN/AlN复合势垒层，该复合势垒层制作在高迁移率层上面；一氮化镓帽层，该氮化镓帽层制作在InxAl1‑xN/AlN复合势垒层上面，厚度为1‑5nm。