[发明专利]三维半导体元件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种三维半导体元件及其制造方法，该三维半导体元件包括：具有包括N个梯级的一阶梯区域的一基板，其中N为大于或等于1的整数；具有多层结构叠置于基板的一叠层，且多层结构包括有源层与绝缘层交错于基板上，叠层包括多个次叠层形成于基板上，次叠层与阶梯区域的N个梯级对应设置以分别形成接触区域；和分别位于对应的接触区域的多个连接器，且连接器是向下延伸连接至多层结构下方的一底层。

主权项

1.一种三维半导体元件，包括：一基板，具有包括N个梯级的一阶梯区域，其中N为大于或等于1的整数；一叠层，具有多层结构叠置于该基板，且该多层结构包括有源层与绝缘层交错于该基板上，该叠层包括多个次叠层形成于该基板上，这些次叠层与该阶梯区域的该N个梯级对应设置以分别形成接触区域；和多个连接器，分别位于对应的这些接触区域，且这些连接器是向下延伸连接至该多层结构下方的一底层；其中，各该连接器包括：一第一导电部，向下延伸连接至该多层结构下方的该底层；和一第二导电部，连接该第一导电部，该第二导电部电性连接对应的该次叠层的该有源层的降落区域。