[发明专利]化学机械研磨方法在审
| 申请号： | 201510005019.X | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105817991A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 邓武锋;蒋莉;黎铭琦;赵简;杨俊 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/10 | 分类号： | B24B37/10;B24B37/005;B24B53/017;H01L21/321 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种化学机械研磨方法，包括：提供待研磨晶圆；将待研磨晶圆放置在第一研磨垫上，采用第一研磨液对所述研磨晶圆进行第一研磨，其中，第一研磨液具有第一pH值；使待研磨晶圆与第一研磨垫分离，向待研磨晶圆表面喷洒第一清洗液进行第一清洗，第一清洗液具有第二pH值，且第二pH值与第一pH值之差的绝对值小于等于1；在第一清洗之后，将待研磨晶圆放置在第二研磨垫上，采用第二研磨液对待研磨晶圆进行第二研磨，第二研磨液具有第三pH值，且第三pH值与第二pH值之差的绝对值小于等于1。本发明避免待研磨晶圆表面出现酸碱冲突，从而防止待研磨晶圆表面出现大量的微观颗粒，避免在第二研磨过程中微观颗粒对待研磨晶圆表面造成刮伤。 | ||
| 搜索关键词： | 化学 机械 研磨 方法 | ||
【主权项】：
一种化学机械研磨方法，其特征在于，包括：提供待研磨晶圆；将所述待研磨晶圆放置在第一研磨垫上，采用第一研磨液对所述研磨晶圆进行第一研磨，其中，所述第一研磨液具有第一pH值；在所述第一研磨之后，使待研磨晶圆与第一研磨垫分离，向所述待研磨晶圆表面喷洒第一清洗液进行第一清洗，其中，所述第一清洗液具有第二pH值，且所述第二pH值与第一pH值之差的绝对值小于等于1；在所述第一清洗之后，将所述待研磨晶圆放置在第二研磨垫上，采用第二研磨液对所述待研磨晶圆进行第二研磨，其中，所述第二研磨液具有第三pH值，且所述第三pH值与第二pH值之差的绝对值小于等于1。
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