[发明专利]版图设计方法以及版图设计单元集合

摘要

本发明提供一种版图设计方法和版图设计单元集合，所述版图设计单元集合包括:第一、第二、第三、第四、第五单元，所述第一单元至第五单元依次排列构成用于形成SRAM单元的初始版图，所述SRAM单元包括由多个鳍部图形和第一总栅条图形、第二总栅条图形形成的第一、第二上拉晶体管、第一、第二下拉晶体管和第一、第二栅传输晶体管，本发明版图设计单元集合还包括第一插入单元，所述第一至第五单元以及第一插入单元能够组成SRAM单元版图，通过调节SRAM单元版图中设置的第一插入单元数量，能够调节所形成的SRAM单元版图中上拉晶体管、下拉晶体管和传输栅晶体管的沟道区宽长比之间的比例，从而能够便地进行多种不同性能的SRAM单元设计，简化SRAM单元的设计步骤。

主权项

1.一种版图设计方法，其特征在于，包括：提供第一、第二、第三、第四、第五单元，所述第一单元至第五单元依次排列构成用于形成SRAM单元的初始版图，所述SRAM单元包括由多个鳍部图形、第一总栅条图形和第二总栅条图形形成的第一、第二上拉晶体管，第一、第二下拉晶体管和第一、第二栅传输晶体管，所述第一总栅条图形、第二总栅条图形沿第一方向延伸，所述多个鳍部图形沿第二方向延伸；所述第一单元包括沿第二方向延伸的一条半鳍图形和横跨所述半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；所述第二单元包括沿第二方向延伸的两条半鳍图形和横跨所述半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；所述第一单元和第二单元在第一方向上相邻，用于形成第一栅传输晶体管和第一下拉晶体管；所述第三单元包括沿第二方向延伸的两条半鳍图形和横跨所述半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；所述第三单元和第二单元在第一方向上相邻，用于形成第一上拉晶体管；所述第四单元包括沿第二方向延伸的两条半鳍图形和横跨所述半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；所述第四单元和第三单元在第一方向上相邻，用于形成第二上拉晶体管；所述第五单元包括沿第二方向延伸的一条半鳍图形和横跨所述半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；所述第五单元和第四单元在第一方向上相邻，用于形成第二栅传输晶体管和第二下拉晶体管；提供第一插入单元，所述第一插入单元包括沿第二方向延伸的两条半鳍图形和横跨所述两条半鳍图形的第一栅条图形、第二栅条图形；在所述第一、第二单元之间，以及第四、第五单元之间设置所述第一插入单元；将设置了第一插入单元的第一至第五单元依序进行组合，形成SRAM单元版图，相邻两个单元的半鳍图形分别对应拼接组成鳍部图形，所有单元的第一栅条图形、第二栅条图形分别对应拼接组成第一总栅条图形和第二总栅条图形。