[发明专利]鳍式场效应晶体管及其形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管及其形成方法，所述鳍式场效应晶体管的形成方法包括：提供衬底，包括第一半导体层、绝缘层和第二半导体层；在第二半导体层的部分表面形成掩膜层，以掩膜层为掩膜，刻蚀第二半导体层至绝缘层，形成鳍部；在绝缘层表面形成牺牲层，牺牲层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁，高于牺牲层的部分鳍部作为第一子鳍部；在第一子鳍部侧壁表面形成保护层；去除牺牲层；沿暴露的鳍部侧壁对所述鳍部进行横向刻蚀，使部分鳍部的宽度减小，使第一子鳍部部分悬空，宽度减小的部分鳍部作为第二子鳍部；去除保护层和掩膜层后，形成横跨第一子鳍部和第二子鳍部的栅极结构。所述方法可以提高形成的鳍式场效应晶体管的性能。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括第一半导体层、位于第一半导体层表面的绝缘层和位于所述绝缘层表面的第二半导体层；在所述第二半导体层的部分表面形成掩膜层，以所述掩膜层为掩膜，刻蚀所述第二半导体层至绝缘层，形成鳍部；在所述绝缘层表面形成牺牲层，所述牺牲层的表面低于鳍部的顶部表面且覆盖鳍部的部分侧壁，高于牺牲层的部分鳍部作为第一子鳍部；在第一子鳍部侧壁表面形成保护层；去除牺牲层，暴露出鳍部的部分侧壁和绝缘层的表面；沿所述暴露的鳍部侧壁对所述鳍部进行横向刻蚀，使部分鳍部的宽度减小，使第一子鳍部部分悬空，所述宽度减小的部分鳍部作为第二子鳍部，且所述第二子鳍部宽度为第一子鳍部宽度的30％～60％；去除所述保护层和掩膜层后，形成横跨第一子鳍部和第二子鳍部的栅极结构，所述栅极结构覆盖部分第二子鳍部的侧壁、部分第一子鳍部的侧壁、顶部以及悬空部分底面。