[发明专利]放大器有效
| 申请号： | 201510005164.8 | 申请日： | 2015-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN104767491B | 公开（公告）日： | 2018-05-01 |
| 发明（设计）人： | 金良守 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F1/32 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡秋瑾 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种能实现小型化和低功耗化、并能改善三阶互调失真特性的放大器。放大器(10)包括包含第一背栅极端(B1)的第一FET(M1)；包含第二背栅极端(B2)的第二FET(M2)；包含第三背栅极端(B3)的第三FET(M3)；用于向第一背栅极端(B1)施加电压的第一电源端子(PT1)；用于向第二背栅极端(B2)施加电压的第二电源端子(PT2)；以及用于向第三背栅极端(B3)施加电压的第三电源端子(PT3)。第一至第三电源端子(PT1至PT3)采用能对第一至第三电源端子(PT1至PT3)设定不同电压的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 放大器 | ||
【主权项】：
一种放大器，其特征在于，包括：第一FET，该第一FET包含第一背栅极端；第二FET，该第二FET包含第二背栅极端；第三FET，该第三FET包含第三背栅极端；第一电源端子，该第一电源端子用于向所述第一背栅极端施加电压；第二电源端子，该第二电源端子用于向所述第二背栅极端施加电压；以及第三电源端子，该第三电源端子用于向所述第三背栅极端施加电压，所述第一至第三FET的栅极端共通地相连接，所述第一至第三FET的源极端共通地相连接，所述第一至第三FET的漏极端共通地相连接，所述第一至第三电源端子采用能对所述第一至第三电源端子设定不同电压的结构，所述第一至第三FET的源极端呈直流性地与接地相连接，所述第一至第三电源端子中的至少一个电源端子具有以所述接地为基准的负电压。
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