[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201510005533.3 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105819392B | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 许继辉;郑超;王伟;李卫刚;刘炼 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，在单晶硅上沉积铝之前，先形成一保护层，该保护层遮盖了单晶硅表面的大部分区域，仅露出需形成铝电极区域的单晶硅，由于本发明不是直接在单晶硅上沉积铝，因而避免了铝嵌入单晶硅内形成铝钉，进而避免了该铝钉造成后续结构制作所涉及的光刻过程中的散射、衍射现象以及光刻胶掩膜位置及尺寸不精准问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体基底，所述半导体基底的表层为单晶硅，在所述单晶硅上形成保护层；刻蚀所述保护层，以暴露预定形成铝电极区域的单晶硅；在所述保护层及暴露的单晶硅上沉积铝层；去除部分区域的铝层以及保护层，以形成铝电极。
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