[发明专利]LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法

摘要

本发明公开一种LPCVD初始沉积的炉温的精确控制方法，在通入气体时候，依据通入气体的流量和真空度，预测出温度下降的幅度和炉体加温到恒定温度的时间进行前馈加热，这样就能保证在气体通入时炉温恒定，没有波动；并能够精准、实时控制LPCVD炉温度，实现稳定控制LPCVD炉炉温，避免了炉温的波动，实现LPCVD炉的稳定运行，从而保证了LPCVD初始沉积膜的一致性。

主权项

一种低压力化学气相初始沉积的炉温的精确控制方法，其特征在于，包含如下步骤：S1、按照不同的蝶阀开启角度和泵抽速的大小和不同的工艺气体的流量测定炉温波动量的值和时间，依据控制精度确定细分级数，计算出不同的工艺气体流量和不同的真空度下所对应的前馈加热电流值和前馈时间；S2、将由气体流量、真空度、对应的前馈加热电流值、前馈时间构成的四维映射表输入计算机中；S3、生产中依据所需的工艺条件设定气体流量和真空度后，由计算机控制低压力化学气相沉积炉按照所述四维映射表中对应的前馈加热电流值和前馈时间进行前馈加热；S4、前馈加热完成后，按照步骤S3中所需的工艺条件向炉内通入气体。