[发明专利]导电桥接随机存储器的形成方法在审
| 申请号： | 201510005566.8 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826464A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 张海洋;张城龙 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 应战;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种导电桥接随机存储器的形成方法，包括：提供下电极层以及第一介质层；在第一介质层内形成暴露出下电极层表面的开口；在第一介质层表面以及开口内沉积第二介质膜，且位于开口中的第二介质膜内形成有孔隙；回刻蚀第二介质膜，直至孔隙下方的部分下电极层表面被暴露出来，形成位于开口侧壁表面和底部表面的第二介质层，且位于开口底部表面的第二介质层内形成有暴露出部分下电极层表面的沟槽；形成覆盖于第二介质层表面、第一介质层表面、以及沟槽底部和侧壁表面的固态电解质层；形成覆盖于固态电解质层表面的上电极层。本发明能够获得小尺寸的导电桥接存储器，且未受到光刻工艺极限的影响，满足半导体结构小型化微型化的发展趋势。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 随机 存储器 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种导电桥接随机存储器的形成方法，其特征在于，包括：提供下电极层以及覆盖于所述下电极层表面的第一介质层；在所述第一介质层内形成暴露出下电极层表面的开口；在所述第一介质层表面以及开口内沉积第二介质膜，且位于开口中的第二介质膜内形成有孔隙；回刻蚀所述第二介质膜，直至所述孔隙下方的部分下电极层表面被暴露出来，形成位于开口侧壁表面和底部表面的第二介质层，且位于开口底部表面的第二介质层内形成有暴露出部分下电极层表面的沟槽；形成覆盖于所述第二介质层表面、第一介质层表面、以及沟槽底部和侧壁表面的固态电解质层；形成覆盖于所述固态电解质层表面的上电极层。
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