[发明专利]FinFET器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201510005573.8 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826372B | 公开（公告）日： | 2018-12-21 |
| 发明（设计）人： | 居建华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种FinFET器件及其形成方法，形成方法包括：提供包括NMOS器件区域、PMOS器件区域的衬底；形成鳍；对PMOS器件区域中的鳍进行离子掺杂；形成多个伪栅结构、源极和漏极；形成互连介质层；去除伪栅结构，以在互连介质层中形成开口；在NMOS器件区域的开口中的鳍表面形成不同功函数的功函数层；形成栅极结构。FinFET器件包括：多个阈值电压不同的NMOS晶体管、PMOS晶体管；NMOS晶体管的栅极结构包括功函数层以及栅极结构，且功函数层之间的功函数大小不同；PMOS器件区域的鳍中形成有分别对应于各个PMOS晶体管的多个掺杂区，掺杂区之间的掺杂浓度不同。本发明有益效果在于，本发明的方法可以在工艺难度、成本以及晶体管稳定性以及调整阈值电压的效果之间取得较佳平衡。 | ||
| 搜索关键词： | finfet 器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底，所述衬底包括NMOS器件区域和PMOS器件区域，所述NMOS器件区域的衬底用于形成多个阈值电压不同的NMOS晶体管，所述PMOS器件区域的衬底用于形成多个阈值电压不同的PMOS晶体管；在所述NMOS器件区域和PMOS器件区域的衬底上分别形成多个鳍；对所述PMOS器件区域中的鳍进行离子掺杂，以在PMOS器件区域中的鳍中分别形成掺杂浓度不同的掺杂区；在位于所述NMOS器件区域以及PMOS器件区域中的多个鳍上分别形成横跨所述鳍的多个伪栅结构，其中，位于PMOS器件区域中的多个伪栅结构分别对应于各个掺杂浓度不同的掺杂区；在伪栅结构的两侧的鳍中分别形成对应于NMOS以及PMOS的源极和漏极；在所述NMOS器件区域和PMOS器件区域的衬底、源极、漏极、鳍以及伪栅结构上形成露出伪栅结构的互连介质层；去除NMOS器件区域以及PMOS器件区域的伪栅结构，以在所述互连介质层中形成多个露出鳍的开口；在位于NMOS器件区域的多个开口中的鳍表面分别形成对应于不同阈值电压的第一功函数层；在所述NMOS器件区域和PMOS器件区域中的开口中形成栅极结构。
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