[发明专利]N型鳍式场效应晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201510005631.7 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826188B | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 李勇;居建华;陈林林 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种N型鳍式场效应晶体管及其形成方法，其中，一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层。采用本发明的方法形成的N型鳍式场效应晶体管降低了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的源极和漏极上的寄生电阻，提高了后续形成的N型鳍式场效应晶体管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 型鳍式 场效应 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种N型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底具有鳍部；形成横跨所述鳍部的栅极结构；在所述鳍部表面形成掺杂有源漏离子的第一半导体材料层；在所述第一半导体材料层上形成掺杂有势垒降低离子的第二半导体材料层；在所述第二半导体材料层上形成金属层；对所述金属层进行退火处理，形成接触电阻减小层；所述势垒降低离子包括硫离子、硒离子、砷离子、锑离子和锗离子中的至少一种；形成第二半导体材料层的过程还包括对所述第二半导体材料层掺杂有磷离子；所述磷离子的掺杂剂量大于所述势垒降低离子的掺杂剂量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
