[发明专利]一种LDMOS的器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201510005958.4 | 申请日： | 2015-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN105826373A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 宋慧芳 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/41;H01L29/06;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种LDMOS的器件及其制造方法，通过取消漏端与栅极之间的STI结构，因此可极大降低Rdson，同时通过在漏端与栅极之间制备一金属层进而可有效调节漏电场，从而有效提高BV。本发明可在有效提高BV的同时还降低了Rdson，进而极大的提升了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种LDMOS器件，其特征在于，所述LDMOS器件包括一衬底，所述衬底内形成有有源区，所述有源区包括体区和漂移区，所述衬底之上设置有栅极，且所述栅极分别与所述体区和所述漂移区形成交叠；位于所述体区中靠近所述栅极的一侧设置有源端，且该体区远离所述栅极的一侧设置有接触区，所述漂移区远离所述栅极的一侧设置有漏端；所述栅极靠近所述漏端的部分上表面和侧壁上，以及位于所述栅极与漏端之间的衬底的上表面均覆盖有一SAB层，且该SAB层的上表面覆盖有一金属层；位于所述漏端与所述栅极之间的金属层通过一电连接结构与所述源端互联。
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