[发明专利]半导体器件及其形成方法

摘要

本发明提供一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：在衬底中形成第一、二开口，第一、二开口共同形成一烧瓶状开口；形成第一氧化层；形成与第一氧化层同样材料的第二氧化层，并使第二氧化层填充烧瓶状开口的入口处，第二氧化层的表面不低于衬底的表面。半导体器件包括：衬底、第一、二开口，第一、二开口共同构成位于衬底中的烧瓶状开口；形成于烧瓶状开口侧壁的第一氧化层、表面不低于衬底的表面的第二氧化层，第二氧化层、第一氧化层的材料相同。本发明的有益效果在于：消除了位于衬底中的烧瓶状开口入口处的尖角，在刻蚀第一氧化层以露出衬底的过程中，衬底受到刻蚀影响的几率能够减小，进而达到了保护衬底尽量不受损伤的目的。

主权项

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成第一开口；对所述衬底中第一开口的底部进行刻蚀，以在衬底的第一开口下方形成尺寸大于所述第一开口的第二开口，所述第一开口与其对应的第二开口共同形成一烧瓶状开口；在所述烧瓶状开口的侧壁形成第一氧化层；在所述烧瓶状开口的入口处形成与所述第一氧化层同样材料的第二氧化层，使所述第二氧化层填充所述烧瓶状开口的入口处且第二氧化层的表面不低于所述衬底的表面；在衬底表面形成晶体管器件。