[发明专利]晶圆键合方法以及晶圆键合结构有效
申请号: | 201510006070.2 | 申请日: | 2015-01-06 |
公开(公告)号: | CN105826213B | 公开(公告)日: | 2018-12-21 |
发明(设计)人: | 陈政;张海芳;包德君;王伟 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L23/485 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆键合方法以及晶圆键合结构,晶圆键合方法包括:提供第一衬底、第二衬底;形成第一介质层、第二介质层、第一导电结构、第二导电结构、第一顶层介质层、第一顶层导电结构、第二顶层介质层、第二顶层导电结构;使第一晶圆与第二晶圆键合。晶圆键合结构包括:第一衬底、第二衬底、第一介质层、第二介质层、第一导电结构、第二导电结构、第一顶层介质层、第二顶层介质层、第一顶层导电结构和第二顶层导电结构。本发明的有益效果在于简化了整个工艺的复杂程度,提升了生产效率,降低了生产成本;同时,简化了工艺步骤也意味着增加了工艺流程的可靠性。 | ||
搜索关键词: | 晶圆键合 方法 以及 结构 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆键合方法,用于将第一晶圆和第二晶圆相互键合;其特征在于,所述晶圆键合方法包括:分别提供第一晶圆和第二晶圆,所述第一晶圆具有形成有第一衬底的正面,所述第二晶圆具有形成有第二衬底的正面;分别在所述第一衬底上形成第一介质层、在第二衬底上形成第二介质层;在所述第一介质层中形成与第一衬底相接触的第一导电结构,在所述第二介质层中形成与第二衬底相接触的第二导电结构;在所述第一介质层以及第一导电结构上形成第一顶层介质层,并在所述第一顶层介质层中形成与所述第一导电结构接触的第一顶层导电结构,并使所述第一顶层导电结构从所述第一顶层介质层的表面露出;在第二介质层以及第二导电结构上形成第二顶层介质层,并在所述第二顶层介质层中形成与所述第二导电结构接触的第二顶层导电结构;使位于第一晶圆正面的第一顶层导电结构与位于第二晶圆正面的第二顶层导电结构相互键合。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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