[发明专利]电可编程熔丝结构及其形成方法在审
申请号: | 201510006081.0 | 申请日: | 2015-01-06 |
公开(公告)号: | CN105826238A | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 甘正浩 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L23/525 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高静;骆苏华 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明提供一种电可编程熔丝结构及其形成方法,其中电可编程熔丝结构包括:阳极;阴极;熔丝,所述熔丝包括与阳极连接的阳极连接端,以及与阴极连接的阴极连接端;所述熔丝位于阴极连接端的部分经过离子掺杂并具有压应力;所述熔丝位于阳极连接端的部分具有拉应力。电可编程熔丝结构的形成方法包括:形成阳极和阴极;形成一端连接阳极,且另一端连接阴极的熔丝,所述熔丝包括与阳极连接的阳极连接端,以及与阴极连接的阴极连接端;在所述熔丝的阳极连接端上形成拉应力区;对所述熔丝的阴极连接端进行掺杂,以在熔丝的阴极连接端形成压应力区。本发明的有益效果在于,降低电编程熔丝的编程功耗,同时缩短编程耗时。 | ||
搜索关键词: | 可编程 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】:
一种电可编程熔丝结构的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底,在所述衬底上形成阳极、阴极以及与阳极和阴极相连的熔丝,所述熔丝包括与阳极连接的阳极连接端,以及与阴极连接的阴极连接端;对所述阴极连接端进行离子掺杂,以在所述阴极连接端形成压应力区;在所述阳极连接端形成拉应力区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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