[发明专利]一种形成硅通孔的方法

摘要

本发明公开了一种形成硅通孔的方法，属于半导体制造工艺技术领域，包括提供一半导体衬底；于半导体衬底上形成具有开口的掩膜层；采用第一博世刻蚀工艺刻蚀半导体衬底，以于开口下方的半导体衬底中形成第一凹槽，且掩膜层凸起于第一凹槽的侧壁；采用第二博世刻蚀工艺刻蚀位于第一凹槽底部的半导体衬底，以形成第二凹槽；第一凹槽的宽度大于第二凹槽的宽度。上述技术方案的有益效果是：有效避免应用博世工艺形成的硅通孔侧壁上产生的硅损伤现象，对硅通孔的整个侧壁进行有效保护，同时不影响整体博世工艺的刻蚀效率。

主权项

一种形成硅通孔的方法，其特征在于，所述方法包括：提供一半导体衬底；于所述半导体衬底上形成具有开口的掩膜层；采用第一博世刻蚀工艺刻蚀所述半导体衬底，以于所述开口下方的所述半导体衬底中形成第一凹槽，且所述掩膜层凸起于所述第一凹槽的侧壁；采用第二博世刻蚀工艺刻蚀位于所述第一凹槽底部的所述半导体衬底，以形成第二凹槽；所述第一凹槽的宽度大于所述第二凹槽的宽度。