[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 201510006164.X | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826268B | 公开（公告）日： | 2019-01-18 |
| 发明（设计）人： | 李敏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/115 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域以及第二区域；在所述半导体衬底上制备一掩膜层；分别在所述第一区域和第二区域上形成第一掩膜图形和第二掩膜图形；对所述第二区域进行离子注入；对所述半导体衬底进行刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽形成于所述第一区域和第一掩膜图形中，所述第二沟槽形成于所述第二区域和第二掩膜图形中；在所述第一沟槽和第二沟槽内填充电介质，以形成第一浅槽隔离和第二浅槽隔离；去除所述第一掩膜图形和第二掩膜图形。采用本发明的制造方法，有利于在所述第二沟槽在所述半导体衬底中的深度满足要求的前提下，提供电介质在第一沟槽的填充性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区域以及第二区域；在所述半导体衬底上制备一掩膜层；选择性刻蚀所述掩膜层，分别在所述第一区域和第二区域上形成第一掩膜图形和第二掩膜图形；以所述第二掩膜图形为掩膜，对所述第二区域进行离子注入；以所述第一掩膜图形和第二掩膜图形为掩膜，对所述半导体衬底进行刻蚀形成第一沟槽和第二沟槽，其中，所述第一沟槽形成于所述第一区域和第一掩膜图形中，所述第二沟槽形成于所述第二区域和第二掩膜图形中；在所述第一沟槽和第二沟槽内填充电介质，以形成第一浅槽隔离和第二浅槽隔离；以及去除所述第一掩膜图形和第二掩膜图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
