[发明专利]晶圆减薄方法在审
| 申请号： | 201510006165.4 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826161A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 夏春伟;游宽结;侯元琨;陈怡骏 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明的晶圆减薄方法，包括：提供一玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上沉积一层光阻，刻蚀所述玻璃晶圆边缘区域上的所述光阻；刻蚀所述玻璃晶圆的边缘区域，所述玻璃晶圆的表面形成一中心圆盘；将所述玻璃晶圆的中心圆盘键合在一载具晶圆上；以及背面减薄所述玻璃晶圆。本发明中，采用干法刻蚀的方法先对所述玻璃晶圆的边缘区域进行刻蚀，使得边缘区域的弧度刻蚀掉一部分，形成边界较为整齐的所述中心圆盘的结构，之后将所述中心圆盘与所述载具晶圆进行键合，再对所述玻璃晶圆的背面进行减薄，使得在减薄的过程中，所述玻璃晶圆的边缘区域不会出现裂纹。本发明的晶圆减薄方法可以提高产品的良率，提高生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆减薄 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆减薄方法，其特征在于，包括：提供一玻璃晶圆；在所述玻璃晶圆上沉积一层光阻，刻蚀所述玻璃晶圆边缘区域上的所述光阻；刻蚀所述玻璃晶圆的边缘区域，所述玻璃晶圆的表面形成一中心圆盘；将所述玻璃晶圆的中心圆盘键合在一载具晶圆上；以及背面减薄所述玻璃晶圆。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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