[发明专利]一种高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法在审
| 申请号： | 201510006329.3 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104600109A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 刘扬;倪毅强;周德秋 | 申请（专利权）人： | 中山大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10;H01L21/335 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 陈卫 |
| 地址： | 510275 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体材料外延生长的技术领域，公开一种高耐压氮化物半导体外延结构及其生长方法。由下至上依次包括衬底、成核层、杂质过滤层，复合氮化物外延缓冲层，电子阻挡层，非掺杂氮化镓沟道层和异质结势垒层；复合氮化物外延缓冲层包括一层高阻富铝氮化物应力缓冲层和该层高阻富铝氮化物应力缓冲层上面的一层高阻顶层氮化镓缓冲层。本发明高耐压氮化物半导体外延结构能够在对上层异质结二维电子气沟道性能影响甚微的前提下，改善硅衬底上氮化物半导体外延层中的应力状态，降低外延片翘曲。极大的降低硅衬底上氮化物半导体外延层的漏电流特性，提高硅衬底上氮化物半导体外延层的单位厚度耐压能力，从而可以降低外延生长时间，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 耐压 氮化物 半导体 外延 结构 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种高耐压氮化物半导体外延结构，其特征在于，包括由下至上依次包括衬底、成核层、杂质过滤层，复合氮化物外延缓冲层，电子阻挡层，非掺杂氮化镓沟道层和异质结势垒层。
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