[发明专利]避免晶圆产生尖端放电缺陷的方法有效
| 申请号： | 201510006761.2 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826240B | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 陈林;郑展 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/528 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提出了一种避免晶圆产生尖端放电缺陷的方法，在每一层金属层形成之后，采用洗边处理去除金属层的边缘预定宽度，层间介质层的边缘能够包围金属层的边缘，从而避免金属层的边缘暴露出，在后续刻蚀中能够避免金属层边缘与等离子体直接接触，减少电荷在金属层上的积聚，避免尖端放电缺陷的产生，进而提高晶圆的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 避免 产生 尖端放电 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种避免晶圆产生尖端放电缺陷的方法，其特征在于，包括步骤：提供晶圆，所述晶圆上形成有金属连线层，所述金属连线层由多层相互交错堆叠的金属层和层间介质层；在每一层金属层形成之后，均对所述金属层进行洗边处理，去除所述金属层边缘预定宽度，以及对所述层间介质层进行洗边处理，去除所述层间介质层边缘预定宽度以暴露出晶圆标识，且所述层间介质层边缘去除的预定宽度小于所述金属层边缘去除的预定宽度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
