[发明专利]三维封装结构的形成方法有效
| 申请号： | 201510006918.1 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826228B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 陈福成;刘尧;施林波 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/68 | 分类号： | H01L21/68;H01L21/603 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张亚利;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种三维封装结构的形成方法，包括：提供具有位于正面的金属焊盘的两个键合基底，两个键合基底的正面相对间隔设置；使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷；找到两个所述键合基底上的感生电荷之间作用力达到最大时两个所述键合基底所对应的位置，将所述作用力最大时两个所述键合基底的位置作为对准位置，在所述对准位置将所述两个键合基底上的金属焊盘对准；对准之后，将所述两个键合基底键合在一起。本发明解决了现有技术中两个键合基底的对准精度较低的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 封装 结构 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种三维封装结构的形成方法，其特征在于，包括：提供两个键合基底，所述键合基底具有位于正面的金属焊盘，两个所述键合基底的正面相对间隔设置；使两个所述键合基底的金属焊盘的上表面产生感生电荷；找到两个所述键合基底上的感生电荷之间作用力达到最大时两个所述键合基底所对应的位置，将所述作用力最大时两个所述键合基底的位置作为对准位置，在所述对准位置将所述两个键合基底上的金属焊盘对准，其中找到所述对准位置的方法为：重复对两个所述键合基底进行对准调节的步骤若干次，所述对准调节的步骤包括：使其中一个所述键合基底平面移动至初对准位置，在所述初对准位置对两个所述键合基底上的感生电荷之间的作用力进行测量，每次所述对准调节步骤中的所述初对准位置不同；对准之后，将所述两个键合基底键合在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
