[发明专利]半导体器件的形成方法在审
| 申请号： | 201510006922.8 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826193A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 杜丽娟;赵海 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供半导体衬底，半导体衬底包括第一区和第二区，第二区相比于第一区为不形成鳍部的区域、或要形成分布密度小的鳍部的区域；在半导体衬底上形成掩膜层，定义出鳍部的位置和位于第二区中伪鳍部的位置，伪鳍部用于补偿第一、二区之间鳍部分布密度的差异；以掩膜层为掩模，刻蚀半导体衬底形成并列排布的若干鳍部、以及位于第二区中并列排布的若干伪鳍部；去除所有伪鳍部及位于伪鳍部上的掩膜层。在本案中，第一区和第二区刻蚀后的半导体衬底上表面基本持平。这使得在半导体衬底上要进行的后续工艺进程不会受到影响，且刻蚀后的半导体衬底上表面平坦，不存在负载效应，半导体器件性能较佳。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一区和第二区，所述第二区相比于第一区为不形成鳍部的区域、或要形成分布密度小的鳍部的区域；在所述半导体衬底上形成掩膜层，定义出鳍部的位置和位于所述第二区中伪鳍部的位置，所述伪鳍部用于补偿第一、二区之间鳍部分布密度的差异；以所述掩膜层为掩模，刻蚀半导体衬底形成并列排布的若干鳍部、以及位于所述第二区中并列排布的若干伪鳍部；去除所有伪鳍部及位于所述伪鳍部上的掩膜层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司，未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510006922.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：沟槽型超结功率器件及其制作方法
- 下一篇：半导体器件的制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
