[发明专利]互连结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201510006942.5 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826295B | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 许谢慧娜;刘良;乔仁明;曾笑梅 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 万铁占;骆苏华 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种互连结构及其形成方法，其中形成方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成有第一金属间介质层、及位于第一金属间介质层中的互连铜层，互连铜层上表面露出；对互连铜层上表面进行粗糙处理，使互连铜层上表面凹凸不平；在对互连铜层上表面进行粗糙处理后，在所述第一金属间介质层和互连铜层上形成第二金属间介质层。在本案中，互连铜层上表面凹凸不平，使得第二金属间介质层与互连铜层上表面的接触面积增大，两者之间的黏附性增强，避免第二金属间介质层从与互连铜层接触的位置剥落，提升半导体器件的良率和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互连结构的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有第一金属间介质层、及位于所述第一金属间介质层中的互连铜层，所述互连铜层上表面露出；对所述互连铜层上表面进行粗糙处理，使所述互连铜层上表面凹凸不平，所述对所述互连铜层上表面进行粗糙处理的方法包括方案a和方案b：方案a，使用还原气体轰击所述互连铜层的上表面以形成若干凹坑；方案b，将酸性试剂滴注在第一金属间介质层上表面，并在滴注过程中控制所述半导体衬底自转，所述酸性试剂受离心作用而分散，并在所述互连铜层上表面与所述互连铜层反应而对互连铜层上表面造成腐蚀以形成若干凹坑；在对所述互连铜层上表面进行粗糙处理后，在所述第一金属间介质层和互连铜层上形成第二金属间介质层。
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