[发明专利]利用自对准双图案化工艺对晶圆进行图案化的方法有效
| 申请号： | 201510006948.2 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104778297B | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 郑文奎 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G06F17/50 | 分类号： | G06F17/50 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 陈源;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了利用自对准双图案化工艺形成晶圆的图案的方法和布局设计方法。所述形成晶圆的图案的方法包括：准备具有第一设计图案、第二设计图案和设置在第一设计图案与第二设计图案之间的第三设计图案的初始布局；利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括第二设计图案的第二子布局；利用计算机形成包括通过修改第一子布局的第一设计图案获得的第一修改的设计图案的第一修改的子布局；利用计算机产生包括第一修改的子布局和第二子布局的修改的布局；以及利用修改的布局执行双图案化工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 对准 图案 化工 进行 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对晶圆进行图案化的方法，包括步骤：准备具有第一设计图案、第二设计图案和第三设计图案的初始布局，其中第三设计图案位于第一设计图案与第二设计图案之间；利用计算机从初始布局中提取包括第一设计图案的第一子布局和包括第二设计图案的第二子布局；利用计算机形成包括第一修改的设计图案的第一修改的子布局，通过修改第一子布局的第一设计图案获得所述第一修改的设计图案；利用计算机产生修改的布局，所述修改的布局包括所述第一修改的子布局和所述第二子布局，并且不包括所述第三设计图案；形成包括所述第一修改的子布局的第一光掩模；形成包括所述第二子布局的第二光掩模；以及利用不包括所述第三设计图案的所述第一光掩模和所述第二光掩模执行双图案化工艺，从而形成对应于所述第一设计图案的第一最终图案、对应于所述第二设计图案的第二最终图案和对应于所述第三设计图案的第三最终图案。
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