[发明专利]通孔的清洗方法及半导体器件的制备方法

摘要

本发明提出了一种通孔的清洗方法及半导体器件的制备方法，在干法刻蚀形成后层通孔之后，为了去除干法刻蚀引入的电荷，先采用紫外线对后层通孔进行照射处理，中和去除大约三分之一至三分之二的电荷，再采用二氧化碳和碱性溶液的混合溶液对后层通孔中进行降电势差处理，从而在后续进行正常湿法去除工艺中，能够减少前层通孔连线的电势差，很大程度上减小电解反应对前层通孔连线造成的腐蚀，确保形成后层通孔后前层通孔连线依旧性能良好，进而能够保证半导体器件的性能。

主权项

1.一种通孔的清洗方法，其特征在于，包括步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有第一介质层、贯穿所述第一介质层的前层通孔以及形成于所述前层通孔中的前层通孔连线；在所述第一介质层上形成第二介质层，并对所述第二介质层进行等离子体干法刻蚀处理形成后层通孔，所述后层通孔暴露出所述前层通孔连线，使所述前层通孔连线表面聚集电荷；采用紫外线对所述后层通孔进行照射处理以中和所述前层通孔连线表面的部分电荷；采用混合溶液对所述后层通孔进行降电势差处理，以降低所述前层通孔连线表面电荷的量，所述混合溶液为二氧化碳和碱性溶液。