[发明专利]塑封器件的开封方法有效
| 申请号： | 201510007245.1 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN104599981B | 公开（公告）日： | 2017-06-30 |
| 发明（设计）人： | 王坦;刘晓昱;贺峤 | 申请（专利权）人： | 航天科工防御技术研究试验中心 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50 |
| 代理公司： | 北京风雅颂专利代理有限公司11403 | 代理人： | 王安娜,李翔 |
| 地址： | 100085*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种塑封器件的开封方法，包括先对塑封器件内部各个元件和芯片的位置和深度进行定位，得到器件内部各个元件和芯片的大小、位置以及深度信息；采用激光烧蚀的方法对所述塑封器件进行开封，以去除塑封器件表面的包封材料，使芯片区域刚刚暴露出内引线键合丝，阻容附近刚刚暴露出锡铅焊点，电感附近刚刚暴露出电感；采用铝箔对烧蚀后的塑封器件进行掩膜处理，使不需要腐蚀的区域被铝箔掩膜，再采用腐蚀剂对掩膜后的塑封器件进行局部腐蚀。该方法可以更精确地控制塑封器件各个局部区域的开封深度和腐蚀液的性质，达到精确控制多点、逐层的开封效果，可以较好的解决传统方法难以对塑封混合集成电路开封的难题。 | ||
| 搜索关键词： | 塑封 器件 开封 方法 | ||
【主权项】：
一种塑封器件的开封方法，其特征在于，包括以下步骤：先对塑封器件内部各个元件和芯片的位置和深度进行定位，得到器件内部各个元件和芯片的大小、位置以及深度信息；根据所述信息，采用激光烧蚀的方法对所述塑封器件进行开封，以去除塑封器件表面的包封材料，使芯片区域刚刚暴露出内引线键合丝，阻容附近刚刚暴露出锡铅焊点，电感附近刚刚暴露出电感；采用铝箔对烧蚀后的塑封器件进行掩膜处理，使不需要腐蚀的区域被铝箔掩膜，再采用腐蚀剂对掩膜后的塑封器件进行局部腐蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
