[发明专利]闪存的形成方法

摘要

一种闪存的形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区域和周边区域；在所述核心区域和周边区域形成顶部高于所述半导体衬底的浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成浮栅，所述核心区域浮栅的厚度大于所述周边区域浮栅的厚度；在所述浅沟槽隔离结构和浮栅上形成垫平层，所述垫平层在所述核心区域上的上表面和在所述周边区域上的上表面齐平；去除所述垫平层以及所述浅沟槽隔离结构的顶部，以形成凹槽，并重新暴露所述浮栅的顶部和侧面；在所述浮栅的上表面及侧面形成栅介质层；在所述栅介质层上形成控制栅。所述方法提高所形成的闪存的数据保留能力，提高闪存的可靠性。

主权项

1.一种闪存的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括核心区域和周边区域；在所述核心区域和周边区域形成顶部高于所述半导体衬底的浅沟槽隔离结构；在所述半导体衬底上形成隧穿介质层；在所述隧穿介质层上形成浮栅，所述浮栅上表面与所述浅沟槽隔离结构的上表面齐平，并且，所述核心区域浮栅的厚度大于所述周边区域浮栅的厚度；在所述浅沟槽隔离结构和浮栅上形成垫平层，所述垫平层在所述核心区域上的上表面和在所述周边区域上的上表面齐平，且所述垫平层的材料与所述浅沟槽隔离结构的材料相同；刻蚀去除所述垫平层以及所述浅沟槽隔离结构的顶部，以形成凹槽，并重新暴露所述浮栅的顶部和侧面；所述浅沟槽隔离结构的顶部为浅沟槽隔离结构高于半导体衬底上表面以上的部分或高于隧穿介质层上的浅沟槽隔离结构；在所述浮栅的上表面及侧面形成栅介质层；在所述栅介质层上形成控制栅。