[发明专利]半导体器件、制备半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201510007371.7 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826376B | 公开（公告）日： | 2019-01-22 |
| 发明（设计）人： | 禹国宾;何永根 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种半导体器件及制备半导体器件的方法，通过在核心器件区依次制备SiGe层和TiN层，以作为后续制备的样本栅与衬底之间的层间介质层，并于介质层中形成具有侧墙及层间介质薄膜的样本栅极结构之后，依次去除样本栅、SiGe层和TiN层，以在核心器件区中采用化学氧化工艺制备栅氧化物薄膜及位于其上的金属栅极，进而使得形成器件结构的EOT尺寸满足工艺需求；由于在去除SiGe层和TiN层时，不会对上述的侧墙及层间介质薄膜造成损失，进而保证了后续制备的金属栅极结构的完整性，大大提高了最终制备器件的性能及良率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征在于，应用于后高介电常数金属栅极的制备工艺中，所述半导体器件包括：半导体衬底；SiGe层，位于所述半导体衬底之上；TiN层，覆盖所述SiGe层的上表面；样本栅极，覆盖所述TiN层的上表面；侧墙结构，将所述SiGe层、所述TiN层和所述样本栅极的侧壁均予以覆盖，以形成样本栅极结构。
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