[发明专利]原位刻蚀方法

摘要

本发明涉及一种本发明提供了一种原位刻蚀方法，方法包括：将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；利用碱性混合剂将加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟；利用5％的氢氟酸溶液将加工SiC衬底浸浴10分钟；利用外延炉对零偏角的加工SiC衬底进行原位刻蚀；当外延炉温度降低到700℃以后，停止通入氢气；使长有碳化硅外延层的加工SiC衬底在氩气环境下继续冷却；使加工SiC衬底自然冷却至室温，取出SiC外延片。本发明原位刻蚀方法能够刻蚀出最佳衬底表面形貌的原位刻蚀工艺，提升SiC异质外延生长质量。

主权项

一种原位刻蚀方法，其特征在于，所述方法包括：步骤1，将利用正轴4H或6H的原始碳化硅SiC衬底加工成的加工SiC衬底利用超声进行清洗；步骤2，利用碱性混合剂将所述加工SiC衬底在85度温度下煮浴20分钟，然后用去离子水冲洗；步骤3，利用5％的氢氟酸溶液将所述加工SiC衬底浸浴10分钟，然后用热去离子水和冷去离子水冲洗；步骤4，利用外延炉对零偏角的所述加工SiC衬底进行原位刻蚀，刻蚀温度为1400‑1600℃；压强为50‑200mbar；氢气流量为60‑200L/min；刻蚀时间为5‑30min；步骤5，当所述外延炉温度降低到700℃以后，停止通入氢气，并抽取真空到低于1×10^‑7mbar；向所述外延炉通入流量为12‑20L/min的氩气，使长有碳化硅外延层的所述加工SiC衬底在氩气环境下继续冷却；步骤6，缓慢提高所述外延炉气压到常压，使所述加工SiC衬底自然冷却至室温，取出SiC外延片。