[发明专利]沟槽型半超结功率器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201510007589.2 | 申请日： | 2015-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN105826360B | 公开（公告）日： | 2019-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种沟槽型半超结功率器件及其制作方法，其中制作方法包括：对表面形成有双外延层的衬底进行刻蚀，形成贯穿所述双外延层且底部与所述衬底接触的沟槽；在所述沟槽内以及所述双外延层上方形成第一氧化层；填充P型掺杂的第一多晶硅，并去除高于所述沟槽中一预设深度的全部第一多晶硅及第一氧化层；在所述沟槽内以及所述双外延层上方形成第二氧化层；填充第二多晶硅，并去除高于所述双外延层的全部第二多晶硅及第二氧化层；在所述第二多晶硅中注入离子。本发明可以使制作过程的每一个热过程中都有氧化层阻挡离子在P柱与N柱之间的相互扩散，保证了N柱和P柱的电荷平衡，提高了器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽 型半超结 功率 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽型半超结功率器件的制作方法，其特征在于，包括：对表面形成有双外延层的衬底进行刻蚀，形成贯穿所述双外延层且底部与所述衬底接触的沟槽；在沟槽侧壁和沟槽底部以及所述双外延层上方形成第一氧化层；填充P型掺杂的第一多晶硅，并去除高于所述沟槽中一预设深度的全部第一多晶硅及第一氧化层；在所述沟槽侧壁和所述沟槽底部以及所述双外延层上方形成第二氧化层；填充第二多晶硅，并去除高于所述双外延层的全部第二多晶硅及第二氧化层；在所述第二多晶硅中注入离子；所述沟槽底部的第一氧化层被保留。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510007589.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
